দ্রুত সুইচ থাইরিস্টর

বর্ণনা:

ফাস্ট সুইচ থাইরিস্টর, একই কাঠামো এবং ফেজ কন্ট্রোল থাইরিস্টরের প্রতীক সহ, যখন উন্নত স্থিতিশীল বৈশিষ্ট্য, বিশেষ করে গতিশীল বৈশিষ্ট্যগুলি সংশোধন, কাটা, বৈদ্যুতিন সংকেতের মেরু বদল এবং ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর সার্কিটের উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রয়োগের জন্য প্রয়োজন।দ্রুত থাইরিস্টরের গতিশীল পরামিতি হল দ্রুত টার্ন-অন স্পিড এবং টার্ন-অন এক্সপেনশন স্পিড, কম রিভার্স রিকভারি চার্জ, এবং কম টার্ন-অফ সময়, অন-স্টেট কারেন্টের উচ্চ ক্রিটিক্যাল বৃদ্ধির হার (di/dt) এবং ক্রিটিক্যাল রেট অফ-স্টেট ভোল্টেজের বৃদ্ধি (dv/dt)।রেটেড ফ্রিকোয়েন্সির মধ্যে ফাস্ট থাইরিস্টরের রেট করা কারেন্ট কমে যায় না বা কমে যায় যখন ফ্রিকোয়েন্সি বাড়তে থাকে।

RUNAU ইলেক্ট্রনিক্সের ফাস্ট সুইচ থাইরিস্টর ম্যানুফ্যাকচারিং স্ট্যান্ডার্ড এবং প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে 1980 সাল থেকে চালু করা হয়েছিল, চীনে থাইরিস্টর উত্পাদনের অগ্রদূত হিসাবে, RUNAU এর প্রযুক্তিগত দল 30 বছরেরও বেশি সময় ধরে অত্যাধুনিক জ্ঞান এবং যথেষ্ট উত্পাদন অভিজ্ঞতা অর্জন করেছিল।ঐতিহ্যগত উত্পাদন প্রক্রিয়ার মৌলিক ভিত্তিতে, RUNAU ইলেকট্রনিক্সের প্রতিভা প্রযুক্তিবিদরা ইউরোপীয় পণ্যগুলির সুবিধার বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে থাইরিস্টর তৈরিতে শিল্প-অফ-স্টেট প্রযুক্তি তৈরি করেছিলেন, গুণমান এবং কর্মক্ষমতা ব্যাপকভাবে উন্নত হয়, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে অর্জিত আরও বড় জয়, এবং অংশীদারদের জন্য আরও মান তৈরি করা হয়েছিল।

ভূমিকা:

1. চিপ

RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত থাইরিস্টর চিপটি sintered alloying প্রযুক্তি নিযুক্ত।সিলিকন এবং মলিবডেনাম ওয়েফার উচ্চ ভ্যাকুয়াম এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে খাঁটি অ্যালুমিনিয়াম (99.999%) দ্বারা অ্যালোয়িংয়ের জন্য সিন্টার করা হয়েছিল।থাইরিস্টরের গুণমানকে প্রভাবিত করার মূল কারণ হল সিন্টারিং বৈশিষ্ট্যগুলির প্রশাসন।RUNAU ইলেকট্রনিক্স এর জ্ঞান-কিভাবে অ্যালয় সংযোগের গভীরতা, পৃষ্ঠের সমতলতা, অ্যালয় ক্যাভিটি এবং সেইসাথে সম্পূর্ণ ডিফিউশন স্কিল, রিং সার্কেল প্যাটার্ন, বিশেষ গেট কাঠামো পরিচালনা করার জন্য।এছাড়াও ডিভাইসের ক্যারিয়ার লাইফ কমানোর জন্য বিশেষ প্রসেসিং নিযুক্ত করা হয়েছিল, যাতে অভ্যন্তরীণ ক্যারিয়ারের পুনর্মিলন গতি ব্যাপকভাবে ত্বরান্বিত হয়, ডিভাইসের বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ হ্রাস পায় এবং এর ফলে সুইচিং গতি উন্নত হয়।এই ধরনের পরিমাপ দ্রুত স্যুইচিং বৈশিষ্ট্য, অন-স্টেট বৈশিষ্ট্য এবং বর্তমান সম্পত্তি বৃদ্ধির জন্য প্রয়োগ করা হয়েছিল।থাইরিস্টরের কর্মক্ষমতা এবং পরিবাহী অপারেশন নির্ভরযোগ্য এবং দক্ষ।

2. এনক্যাপসুলেশন

মলিবডেনাম ওয়েফার এবং বাহ্যিক প্যাকেজের সমতলতা এবং সমান্তরালতার কঠোর নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, চিপ এবং মলিবডেনাম ওয়েফার বাইরের প্যাকেজের সাথে শক্তভাবে এবং সম্পূর্ণরূপে একত্রিত হবে।এই ধরনের ঢেউ কারেন্ট এবং উচ্চ শর্ট সার্কিট কারেন্টের প্রতিরোধকে অপ্টিমাইজ করবে।এবং ইলেক্ট্রন বাষ্পীভবন প্রযুক্তির পরিমাপ সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের উপর একটি পুরু অ্যালুমিনিয়াম ফিল্ম তৈরি করতে নিযুক্ত করা হয়েছিল, এবং মলিবডেনাম পৃষ্ঠের উপর ধাতুপট্টাবৃত রুথেনিয়াম স্তর তাপীয় ক্লান্তি প্রতিরোধকে ব্যাপকভাবে বাড়িয়ে তুলবে, দ্রুত সুইচ থাইরিস্টরের কাজের জীবনকাল উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পাবে।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

1. RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা নির্মিত অ্যালয় টাইপ চিপ সহ ফাস্ট সুইচ থাইরিস্টর, I এর রেঞ্জ_TAV200A থেকে 4000A এবং V পর্যন্ত_{ডিআরএম}/V_{আরআরএম}1200V থেকে 4500V পর্যন্ত।
2. I_GT, ভি_GTএবং আমি_Hপরীক্ষার মানগুলি হল 25℃, অন্যথায় বলা না হলে, অন্যান্য সমস্ত প্যারামিটার হল T-এর অধীনে পরীক্ষার মান_jm;
3. I²t=আমি²F SM×tw/2, tw= সাইনুসয়েডাল হাফ ওয়েভ কারেন্ট বেস প্রস্থ।50Hz এ, আই²t=0.005I²FSM(A²এস);
4. 60Hz এ: I_{এফএসএম}(8.3ms) = আমি_{এফএসএম}(10ms)×1.066, T_j=T_j;আমি²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

পরামিতি: