ফেজ কন্ট্রোল থাইরিস্টর (ফ্রি ফ্লোটিং টাইপ)

বর্ণনা:

ক্রমবর্ধমান শক্তি এবং রূপান্তরকারী সরঞ্জামের ক্ষমতার বিকাশের সাথে, বিশেষ করে এইচভিডিসি ট্রান্সমিশন, ইউনিট থাইরিস্টরের আউটপুট পাওয়ার ক্ষমতা সেই অনুযায়ী বাড়ানোর জন্য অনুরোধ করা হচ্ছে, যেমন সিরিজ এবং সমান্তরাল সংযোগ সার্কিটে থাইরিস্টরের ইনস্টলেশনের পরিমাণ হ্রাস করবে।ডিভাইসের আকার এবং ওজন হ্রাস করা হবে, কম বিনিয়োগ, এমনকি বর্তমান এবং এমনকি ভোল্টেজ সহজেই উপলব্ধি করা হবে, নির্ভরযোগ্য অপারেশন এবং বাণিজ্যিক মূল্য উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পাবে।

হাই পাওয়ার হাই কারেন্ট থাইরিস্টর তৈরির জন্য নিযুক্ত ফ্রি ভাসমান সিলিকন প্রযুক্তি উচ্চ মানের প্রয়োগের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করবে।এবং 2019 সালের জুলাই মাসে, RUNAU ইলেকট্রনিক্স 5" চিপ সহ 5200V থাইরিস্টর সফলভাবে তৈরি করেছে এবং চীনের এইচভিডিসি প্রকল্পে আবেদনকারী গ্রাহকদের সরবরাহ করেছে।

ভূমিকা:

1. চিপ

RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা নির্মিত উচ্চ মানের থাইরিস্টর চিপটি বিনামূল্যে ভাসমান প্রযুক্তি প্রয়োগ করা হয়।এটি উচ্চ শক্তির উচ্চ ভোল্টেজ থাইরিস্টর তৈরির জন্য সর্বশেষ এবং পরিপক্ক প্রযুক্তি হিসাবে স্বীকৃত।এটি সর্বাধিক বিশ্বমানের উত্পাদন দ্বারা ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হয়।

ভোল্টেজ প্রতিরোধ বাড়াতে, অন-স্টেট ভোল্টেজ ড্রপ কমাতে এবং ট্রিগার ও গতিশীল বৈশিষ্ট্য উন্নত করতে ঘনত্ব এবং প্রস্থে ডিফিউশন প্রক্রিয়াটি অপ্টিমাইজ করা হয়েছিল।নতুন ফটোলিথোগ্রাফি প্যাটার্নটি ডি/ডিটি এবং ডিভি/ডিটি বৈশিষ্ট্যকে উন্নত করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।সিলিকন ওয়েফার এবং ক্যাথোড পৃষ্ঠের প্রান্ত রক্ষা করার জন্য চিপের যোগাযোগের কাঠামোটি পুনর্নির্মাণ করা হয়েছিল, বিপরীত ভোল্টেজের কার্যকারিতা ব্যাপকভাবে উন্নত হবে।

2. এনক্যাপসুলেশন

মুক্ত ভাসমান সিলিকন প্রযুক্তির সুবিধা হল সিলিকন এবং মলিবডেনাম ওয়েফারের মধ্যে বিকৃতি ব্যাপকভাবে সংযত এবং মলিবডেনাম ওয়েফারের ব্যবহার হ্রাস পায়।যদিও প্যাকেজের সিলিকন ওয়েফার এবং কপার ব্লকের সমতলতা অত্যন্ত প্রয়োজন সেইসাথে সমান্তরালতা এবং রুক্ষতার প্রয়োজনীয়তা অ্যালোয়িং চিপ প্রযুক্তির চেয়ে বেশি।ক্রমাগত উন্নতি এবং উদ্ভাবনের মাধ্যমে, RUNAU ইলেকট্রনিক সমস্ত প্রযুক্তিগত অসুবিধা এবং বাধা অতিক্রম করেছে।বিনামূল্যে ভাসমান প্রযুক্তি, নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা এবং বাণিজ্যিক দক্ষ সমাধান সহ উচ্চ শক্তি উচ্চ ভোল্টেজ থাইরিস্টর তৈরি করা হয়েছিল এবং ক্লায়েন্টদের সরবরাহ করা হয়েছিল।তাদের বেশিরভাগই উচ্চ শক্তি নিয়ন্ত্রণযোগ্য সংশোধনকারী, উচ্চ ভোল্টেজ সফট স্টার্টার, এইচভিডিসি পাওয়ার ট্রান্সমিশন, লোকোমোটিভ ট্র্যাকশন, ডায়নামিক রিঅ্যাকটিভ পাওয়ার ক্ষতিপূরণ এবং পালস পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশন সিস্টেমে ইনস্টল করা আছে।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

1. RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা নির্মিত অ্যালয় টাইপ চিপ সহ ফেজ নিয়ন্ত্রিত থাইরিস্টর, I এর পরিসর_TAV350A থেকে 5580A এবং V পর্যন্ত_{ডিআরএম}/V_{আরআরএম}3400V থেকে 8500V পর্যন্ত।
2. I_GT, ভি_GTএবং আমি_Hপরীক্ষার মানগুলি হল 25℃, অন্যথায় বলা না হলে, অন্যান্য সমস্ত প্যারামিটার হল T-এর অধীনে পরীক্ষার মান_jm;
3. I²t=আমি²F SM×tw/2, tw= সাইনুসয়েডাল হাফ ওয়েভ কারেন্ট বেস প্রস্থ।50Hz এ, আই²t=0.005I²FSM(A²এস);
4. 60Hz এ: I_{এফএসএম}(8.3ms) = আমি_{এফএসএম}(10ms)×1.066, T_j=T_j;আমি²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

প্যারামিটার: