ফেজ কন্ট্রোল থাইরিস্টর (অ্যালয়িং টাইপ)

বর্ণনা:

থাইরিস্টর, সিলিকন কন্ট্রোল রেকটিফায়ার (SCR) নামেও পরিচিত, একটি উচ্চ-শক্তির সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস যা তিনটি পিএন কাঠামো নিয়ে গঠিত।কর্মক্ষমতার পরিপ্রেক্ষিতে, থাইরিস্টরের শুধুমাত্র একমুখী পরিবাহিতাই নয়, সিলিকন রেকটিফায়ার এলিমেন্টের চেয়েও বেশি মূল্যবান নিয়ন্ত্রণযোগ্যতা রয়েছে, যেটি মাত্র দুটি পরিবাহী এবং অফ-স্টেট, ছোট শক্তির সাহায্যে বৃহৎ শক্তি নিয়ন্ত্রণ করতে, শত শত পর্যন্ত শক্তি প্রশস্তকরণ বা হাজার হাজার বারপ্রতিক্রিয়া খুব দ্রুত, মাইক্রো-সেকেন্ডে চালু এবং বন্ধ হয়।অ-যোগাযোগ অপারেশন, কোন স্পার্ক, কোন শব্দ নেই, যখন উচ্চ দক্ষতা এবং কম খরচে।অতএব, বিশেষত উচ্চ পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমে, থাইরিস্টর রেকটিফায়ার সার্কিট, স্ট্যাটিক বাইপাস সুইচ, যোগাযোগ-মুক্ত আউটপুট সুইচ এবং অন্যান্য সার্কিটে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়েছে।

RUNAU ইলেক্ট্রনিক্সের থাইরিস্টর উত্পাদন মান এবং প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে 1980 সাল থেকে চালু করা হয়েছিল, চীনে থাইরিস্টর উত্পাদনের অগ্রদূত হিসাবে, RUNAU এর প্রযুক্তিগত দল 30 বছরেরও বেশি সময় ধরে অত্যাধুনিক জ্ঞান এবং যথেষ্ট উত্পাদন অভিজ্ঞতা অর্জন করেছিল।প্রথাগত উত্পাদন প্রক্রিয়ার মৌলিক ভিত্তিতে, RUNAU ইলেকট্রনিক্সের প্রতিভা প্রযুক্তিবিদরা ইউরোপীয় পণ্যগুলির সুবিধার বৈশিষ্ট্য সহ থাইরিস্টর তৈরিতে শিল্প-অফ-স্টেট প্রযুক্তি তৈরি করেছেন, গুণমান এবং কর্মক্ষমতা ব্যাপকভাবে উন্নত হয়েছে, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের প্রয়োগে আরও বড় জয় অর্জিত হয়েছে। ক্ষেত্র, এবং অংশীদারদের জন্য আরও মান তৈরি করা হয়েছিল।

ভূমিকা:

1. চিপ

RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত থাইরিস্টর চিপটি sintered alloying প্রযুক্তি নিযুক্ত।সিলিকন এবং মলিবডেনাম ওয়েফার উচ্চ ভ্যাকুয়াম এবং উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে খাঁটি অ্যালুমিনিয়াম (99.999%) দ্বারা অ্যালোয়িংয়ের জন্য সিন্টার করা হয়েছিল।থাইরিস্টরের গুণমানকে প্রভাবিত করার মূল কারণ হল সিন্টারিং বৈশিষ্ট্যগুলির প্রশাসন।থাইরিস্টরের নির্ভরযোগ্য এবং উচ্চ দক্ষ পরিবাহী ক্রিয়াকলাপকে সক্ষম করার জন্য RUNAU ইলেক্ট্রনিক্সের জ্ঞান-কিভাবে অ্যালয় সংযোগের গভীরতা, পৃষ্ঠের সমতলতা, খাদ গহ্বরের পাশাপাশি সম্পূর্ণ ডিফিউশন দক্ষতা, কেন্দ্রের গেট, রিং সার্কেল প্যাটার্ন পরিচালনা করার জন্য প্রয়োগ করা হয়েছিল। উচ্চ মানের কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করুন।

2. এনক্যাপসুলেশন

মলিবডেনাম ওয়েফার এবং বাহ্যিক প্যাকেজের সমতলতা এবং সমান্তরালতার কঠোর নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, চিপ এবং মলিবডেনাম ওয়েফার বাইরের প্যাকেজের সাথে শক্তভাবে এবং সম্পূর্ণরূপে একত্রিত হবে।এই ধরনের ঢেউ কারেন্ট এবং উচ্চ শর্ট সার্কিট কারেন্টের প্রতিরোধকে অপ্টিমাইজ করবে।এবং ইলেক্ট্রন বাষ্পীভবন প্রযুক্তির পরিমাপ সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের উপর একটি পুরু অ্যালুমিনিয়াম ফিল্ম তৈরি করতে নিযুক্ত করা হয়েছিল, এবং মলিবডেনাম পৃষ্ঠে ধাতুপট্টাবৃত রুথেনিয়াম স্তর তাপীয় ক্লান্তি প্রতিরোধকে ব্যাপকভাবে বৃদ্ধি করবে, থাইরিস্টরের কাজের সময়কাল উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পাবে।

প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

1. RUNAU ইলেকট্রনিক্স দ্বারা নির্মিত অ্যালয় টাইপ চিপ সহ ফেজ নিয়ন্ত্রিত থাইরিস্টর, I এর পরিসর_TAV300A থেকে 6000A এবং V পর্যন্ত_{ডিআরএম}/V_{আরআরএম}800V থেকে 4400V পর্যন্ত।
2. I_GT, ভি_GTএবং আমি_Hপরীক্ষার মানগুলি হল 25℃, অন্যথায় বলা না হলে, অন্যান্য সমস্ত প্যারামিটার হল T-এর অধীনে পরীক্ষার মান_jm;
3. I²t=আমি²F SM×tw/2, tw= সাইনুসয়েডাল হাফ ওয়েভ কারেন্ট বেস প্রস্থ।50Hz এ, আই²t=0.005I²FSM(A²এস);
4. 60Hz এ: I_{এফএসএম}(8.3ms) = আমি_{এফএসএম}(10ms)×1.066, T_j=T_j;আমি²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943, T_j=T_jm

পরামিতি: